S8050 transistor (NPN)
Биполярный транзистор (Hfe=85-300; Pc=1W; Ic=1.5A)
- Тип:
 - Биполярный транзистор
 - Принцип:
 - NPN
 - Мощность (Pcm):
 - 1 W
 - Ток коллектора (Icm):
 - 1.5 A
 - Напряжение коллектор-база (V(BR)cbo):
 - 40 V
 - Напряжение коллектор-эмиттер (V(BR)ceo):
 - 25 V
 - Напряжение база-эмиттер (V(BR)ebo):
 - 6 V
 - Коллекторный ток осечки (Icbo):
 - 0.1 microA
 - Эмиттерный ток отсечки (Iebo):
 - 0.1 microA
 - Напряжение насыщения база-эмиттер:
 - 0.98 V
 - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер:
 - 0.28 V
 - Коэффициент передачи тока:
 - 85-300
 - Частота:
 - 100 Mhz